Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8104(TE85L,F,M

KEY Part #: K6411417

[13798pcs Estoque]


    Número da peça:
    TPCF8104(TE85L,F,M
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 30V 6A VS-8.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Propósito Específico ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPCF8104(TE85L,F,M Atributos do produto

    Número da peça : TPCF8104(TE85L,F,M
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
    Series : U-MOSIV
    Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1760pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : VS-8 (2.9x1.5)
    Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead