[12818pcs Estoque]
- Número da peça:
- STP26NM60ND
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 21A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STP26NM60ND electronic components. STP26NM60ND can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP26NM60ND, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP26NM60ND Atributos do produto
Número da peça :
STP26NM60ND
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Series :
FDmesh™ II
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
54.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1817pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
190W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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