IXYS - IXTA28P065T

KEY Part #: K6395130

IXTA28P065T Preços (USD) [55012pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.82147
  • 50 pcs$0.81739

Número da peça:
IXTA28P065T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 65V 28A TO-263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in IXYS IXTA28P065T electronic components. IXTA28P065T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA28P065T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA28P065T Atributos do produto

Número da peça : IXTA28P065T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
Series : TrenchP™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 65V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2030pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 83W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (IXTA)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB