STP25N60M2-EP Preços (USD) [19321pcs Estoque]
- 1 pcs$3.19067
- 10 pcs$2.84824
- 100 pcs$2.33540
- 500 pcs$1.89109
- 1,000 pcs$1.59489
- Número da peça:
- STP25N60M2-EP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STP25N60M2-EP electronic components. STP25N60M2-EP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP25N60M2-EP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP25N60M2-EP Atributos do produto
Número da peça :
STP25N60M2-EP
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
Series :
MDmesh™ M2-EP
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
188 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.75V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1090pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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