BSO612CVGHUMA1 Preços (USD) [210131pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17602
- 2,500 pcs$0.16896
- Número da peça:
- BSO612CVGHUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1 electronic components. BSO612CVGHUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO612CVGHUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSO612CVGHUMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSO612CVGHUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 20µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 25V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-DSO-8
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