[3550pcs Estoque]
- Número da peça:
- PSMN7R6-60XSQ
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PSMN7R6-60XSQ electronic components. PSMN7R6-60XSQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN7R6-60XSQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN7R6-60XSQ Atributos do produto
Número da peça :
PSMN7R6-60XSQ
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 60V TO220AB
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
51.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.6V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38.7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2651pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
46W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220F
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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