Infineon Technologies - IPP12CN10LGXKSA1

KEY Part #: K6398503

IPP12CN10LGXKSA1 Preços (USD) [48206pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.34449

Número da peça:
IPP12CN10LGXKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP12CN10LGXKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPP12CN10LGXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 69A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 83µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5600pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3
Pacote / caso : TO-220-3

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