SIB422EDK-T1-GE3 Preços (USD) [471021pcs Estoque]
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- Número da peça:
- SIB422EDK-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
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- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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SIB422EDK-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIB422EDK-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-75-6L
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