Infineon Technologies - IRF7470TRPBF

KEY Part #: K6418072

IRF7470TRPBF Preços (USD) [139145pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.26582
  • 4,000 pcs$0.22718

Número da peça:
IRF7470TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7470TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF7470TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3430pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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