EPC - EPC2103ENGRT

KEY Part #: K6523239

EPC2103ENGRT Preços (USD) [19462pcs Estoque]

1 pcs$2.34097
500 pcs$2.32932

Número da peça:: EPC2103ENGRT

Fabricante:: EPC

Descrição detalhada:: GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V.

Prazo de execução padrão do fabricante:: Em estoque

Validade:: Um ano

Chip De:: Hong Kong

RoHS:

Forma de pagamento:

Maneira da expedição:

Categorias de Família:: KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...

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GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2103ENGRT Atributos do produto

Número da peça : EPC2103ENGRT

Fabricante : EPC

Descrição : GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V

Series : eGaN®

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 40V

Potência - Max : -

Temperatura de operação : -

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : Die

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die

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