IPAN60R650CEXKSA1 Preços (USD) [134353pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.39929
- 100 pcs$0.29844
- 500 pcs$0.23145
- 1,000 pcs$0.18272
- Número da peça:
- IPAN60R650CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET NCH 600V 9.9A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPAN60R650CEXKSA1 electronic components. IPAN60R650CEXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPAN60R650CEXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPAN60R650CEXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPAN60R650CEXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
28W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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