EPC - EPC2012C

KEY Part #: K6417098

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Número da peça : EPC2012C

Fabricante : EPC

Descrição : GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

Series : eGaN®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 5V

Vgs (máx.) : +6V, -4V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : -

Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die Outline (4-Solder Bar)

Pacote / caso : Die

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