ON Semiconductor - NTB5605P

KEY Part #: K6413369

[13123pcs Estoque]


    Número da peça:
    NTB5605P
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor NTB5605P electronic components. NTB5605P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTB5605P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTB5605P Atributos do produto

    Número da peça : NTB5605P
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18.5A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 8.5A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 5V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1190pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 88W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
    Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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