Texas Instruments - CSD23280F3T

KEY Part #: K6417265

CSD23280F3T Preços (USD) [621818pcs Estoque]

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  • 250 pcs$0.05023
  • 1,250 pcs$0.02326

Número da peça:
CSD23280F3T
Fabricante:
Texas Instruments
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD23280F3T Atributos do produto

Número da peça : CSD23280F3T
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
Series : FemtoFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 116 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 0.95V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.23nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 234pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-PICOSTAR
Pacote / caso : 3-XFDFN

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