[14147pcs Estoque]
- Número da peça:
- HUF75631SK8T
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor HUF75631SK8T electronic components. HUF75631SK8T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF75631SK8T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HUF75631SK8T Atributos do produto
Número da peça :
HUF75631SK8T
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP
Series :
UltraFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
79nC @ 20V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1225pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOIC
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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