IXYS - IXTH2N300P3HV

KEY Part #: K6397717

IXTH2N300P3HV Preços (USD) [2868pcs Estoque]

  • 1 pcs$16.61394
  • 10 pcs$15.36812
  • 100 pcs$13.12501

Número da peça:
IXTH2N300P3HV
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH2N300P3HV Atributos do produto

Número da peça : IXTH2N300P3HV
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 3000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1890pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 520W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247HV
Pacote / caso : TO-247-3

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