STMicroelectronics - STP18N65M2

KEY Part #: K6393280

STP18N65M2 Preços (USD) [40137pcs Estoque]

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  • 10 pcs$0.87843
  • 100 pcs$0.70575
  • 500 pcs$0.54891
  • 1,000 pcs$0.45480

Número da peça:
STP18N65M2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP18N65M2 Atributos do produto

Número da peça : STP18N65M2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Series : MDmesh™ M2
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 110W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220
Pacote / caso : TO-220-3

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