TK10J80E,S1E Preços (USD) [37612pcs Estoque]
- 1 pcs$1.21125
- 25 pcs$1.20523
- Número da peça:
- TK10J80E,S1E
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V TO-3PN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E electronic components. TK10J80E,S1E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10J80E,S1E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK10J80E,S1E Atributos do produto
Número da peça :
TK10J80E,S1E
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Series :
π-MOSVIII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
250W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P(N)
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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