STI11NM80 Preços (USD) [22019pcs Estoque]
- 1 pcs$1.88106
- 1,000 pcs$1.87170
- Número da peça:
- STI11NM80
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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STI11NM80 Atributos do produto
Número da peça :
STI11NM80
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
Series :
MDmesh™
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
43.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1630pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK (TO-262)
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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