FDB0260N1007L Preços (USD) [23921pcs Estoque]
- 1 pcs$1.73154
- 800 pcs$1.72292
- Número da peça:
- FDB0260N1007L
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDB0260N1007L electronic components. FDB0260N1007L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB0260N1007L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDB0260N1007L Atributos do produto
Número da peça :
FDB0260N1007L
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
118nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8545pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263)
Pacote / caso :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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