Infineon Technologies - FF23MR12W1M1B11BOMA1

KEY Part #: K6522226

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Preços (USD) [959pcs Estoque]

  • 1 pcs$48.43225

Número da peça:
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Atributos do produto

Número da peça : FF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
Series : CoolSiC™
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.55V @ 20mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 125nC @ 15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3950pF @ 800V
Potência - Max : 20mW
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

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