ON Semiconductor - NTJS3151PT2G

KEY Part #: K6393285

NTJS3151PT2G Preços (USD) [858781pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04307
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Número da peça:
NTJS3151PT2G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTJS3151PT2G Atributos do produto

Número da peça : NTJS3151PT2G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 400mV @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 12V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 625mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-88/SC70-6/SOT-363
Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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