AOTF3N80 Preços (USD) [129458pcs Estoque]
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- 1,000 pcs$0.22449
- Número da peça:
- AOTF3N80
- Fabricante:
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF3N80 electronic components. AOTF3N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AOTF3N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AOTF3N80 Atributos do produto
Número da peça :
AOTF3N80
Fabricante :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
510pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
35W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3F
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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