IPT65R105G7XTMA1 Preços (USD) [28993pcs Estoque]
- 1 pcs$1.49136
- 2,000 pcs$1.48394
- Número da peça:
- IPT65R105G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- HIGH POWERNEW.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPT65R105G7XTMA1 electronic components. IPT65R105G7XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPT65R105G7XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPT65R105G7XTMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPT65R105G7XTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
HIGH POWERNEW
Series :
CoolMOS™ C7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 440µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1670pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
156W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-HSOF-8-2
Pacote / caso :
8-PowerSFN
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