ON Semiconductor - FDMS3672

KEY Part #: K6405317

FDMS3672 Preços (USD) [91270pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.43055
  • 3,000 pcs$0.42841

Número da peça:
FDMS3672
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS3672 Atributos do produto

Número da peça : FDMS3672
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8
Series : UltraFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2680pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-MLP (5x6), Power56
Pacote / caso : 8-PowerWDFN

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