[1444pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI5406DC-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5406DC-T1-GE3 electronic components. SI5406DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5406DC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5406DC-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI5406DC-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
600mV @ 1.2mA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
1206-8 ChipFET™
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
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