Diodes Incorporated - DMP3017SFG-13

KEY Part #: K6402930

DMP3017SFG-13 Preços (USD) [2533pcs Estoque]

  • 3,000 pcs$0.06743

Número da peça:
DMP3017SFG-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP3017SFG-13 Atributos do produto

Número da peça : DMP3017SFG-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2246pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 940mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI3333-8
Pacote / caso : 8-PowerWDFN