SQ2315ES-T1_GE3 Preços (USD) [431769pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.19340
- 100 pcs$0.14519
- 500 pcs$0.10647
- 1,000 pcs$0.08227
- Número da peça:
- SQ2315ES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CHAN 12V SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQ2315ES-T1_GE3 electronic components. SQ2315ES-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ2315ES-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQ2315ES-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQ2315ES-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CHAN 12V SOT23
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
870pF @ 4V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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