SISH410DN-T1-GE3 Preços (USD) [183360pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20172
- Número da peça:
- SISH410DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SISH410DN-T1-GE3 electronic components. SISH410DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH410DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SISH410DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SISH410DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
22A (Ta), 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8SH
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8SH
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