IRFH5304TRPBF Preços (USD) [250787pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14749
- 4,000 pcs$0.14156
- Número da peça:
- IRFH5304TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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IRFH5304TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH5304TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
22A (Ta), 79A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2360pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.6W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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