[2219pcs Estoque]
- Número da peça:
- APT9F100S
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APT9F100S electronic components. APT9F100S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT9F100S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT9F100S Atributos do produto
Número da peça :
APT9F100S
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Series :
POWER MOS 8™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2606pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
337W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D3Pak
Pacote / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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