[12956pcs Estoque]
- Número da peça:
- ZXM66P02N8TA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXM66P02N8TA electronic components. ZXM66P02N8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXM66P02N8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXM66P02N8TA Atributos do produto
Número da peça :
ZXM66P02N8TA
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
43.3nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2068pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.56W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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