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Microsemi Corporation - APTM120DA30CT1G

KEY Part #: K6403799

APTM120DA30CT1G Preços (USD) [2233pcs Estoque]

  • 100 pcs$25.45625
Número da peça:
APTM120DA30CT1G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120DA30CT1G electronic components. APTM120DA30CT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120DA30CT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120DA30CT1G Atributos do produto

Número da peça : APTM120DA30CT1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Series : POWER MOS 8™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 560nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 14560pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 657W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP1
Pacote / caso : SP1

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