Nexperia USA Inc. - PMDT670UPE,115

KEY Part #: K6523181

PMDT670UPE,115 Preços (USD) [891189pcs Estoque]

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  • 4,000 pcs$0.04910

Número da peça:
PMDT670UPE,115
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMDT670UPE,115 Atributos do produto

Número da peça : PMDT670UPE,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 550mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.14nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 87pF @ 10V
Potência - Max : 330mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-666

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