Diodes Incorporated - DMG2302UQ-13

KEY Part #: K6402324

DMG2302UQ-13 Preços (USD) [2743pcs Estoque]

  • 10,000 pcs$0.05488

Número da peça:
DMG2302UQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Diodes Incorporated DMG2302UQ-13 electronic components. DMG2302UQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG2302UQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG2302UQ-13 Atributos do produto

Número da peça : DMG2302UQ-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 594.3pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 800mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3