Número da peça :
SIHP6N65E-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
48nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
820pF @ 100V
Dissipação de energia (máx.) :
78W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB