Rohm Semiconductor - QS5U17TR

KEY Part #: K6405073

QS5U17TR Preços (USD) [424325pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.09636
  • 3,000 pcs$0.09589

Número da peça:
QS5U17TR
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

QS5U17TR Atributos do produto

Número da peça : QS5U17TR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 3.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 175pF @ 10V
Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) : 900mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TSMT5
Pacote / caso : SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5