QS5U17TR Preços (USD) [424325pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09636
- 3,000 pcs$0.09589
- Número da peça:
- QS5U17TR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor QS5U17TR electronic components. QS5U17TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QS5U17TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
QS5U17TR Atributos do produto
Número da peça :
QS5U17TR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
3.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
175pF @ 10V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
900mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSMT5
Pacote / caso :
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
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