PSMN4R2-60PLQ Preços (USD) [38966pcs Estoque]
- 1 pcs$1.00344
- 10 pcs$0.90602
- 100 pcs$0.72800
- 500 pcs$0.56621
- 1,000 pcs$0.46914
- Número da peça:
- PSMN4R2-60PLQ
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 130A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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PSMN4R2-60PLQ Atributos do produto
Número da peça :
PSMN4R2-60PLQ
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
130A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
151nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8533pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
263W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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