Vishay Siliconix - SI3588DV-T1-E3

KEY Part #: K6524447

[3828pcs Estoque]


    Número da peça:
    SI3588DV-T1-E3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix SI3588DV-T1-E3 electronic components. SI3588DV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3588DV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3588DV-T1-E3 Atributos do produto

    Número da peça : SI3588DV-T1-E3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
    Series : TrenchFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N and P-Channel
    Recurso FET : Logic Level Gate
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A, 570mA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Potência - Max : 830mW, 83mW
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP