[4146pcs Estoque]
- Número da peça:
- SSM6N42FE(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N42FE(TE85L,F) electronic components. SSM6N42FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N42FE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6N42FE(TE85L,F) Atributos do produto
Número da peça :
SSM6N42FE(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
90pF @ 10V
Potência - Max :
150mW
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ES6 (1.6x1.6)
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