Infineon Technologies - IPD60R1K0CEATMA1

KEY Part #: K6402510

IPD60R1K0CEATMA1 Preços (USD) [2679pcs Estoque]

  • 2,500 pcs$0.10093

Número da peça:
IPD60R1K0CEATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V TO-252-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R1K0CEATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPD60R1K0CEATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Series : CoolMOS™ CE
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 130µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 37W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252-3
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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