IPW60R105CFD7XKSA1 Preços (USD) [14408pcs Estoque]
- 1 pcs$2.86014
- Número da peça:
- IPW60R105CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- HIGH POWERNEW.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPW60R105CFD7XKSA1 electronic components. IPW60R105CFD7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R105CFD7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPW60R105CFD7XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPW60R105CFD7XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
HIGH POWERNEW
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 470µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1752pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
106W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO247-3-41
Pacote / caso :
TO-247-3
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