IPG20N10S4L22AATMA1 Preços (USD) [116120pcs Estoque]
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- 5,000 pcs$0.26582
- Número da peça:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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IPG20N10S4L22AATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPG20N10S4L22AATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1755pF @ 25V
Potência - Max :
60W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8-10
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