Nexperia USA Inc. - PSMN1R6-30MLHX

KEY Part #: K6420271

PSMN1R6-30MLHX Preços (USD) [177123pcs Estoque]

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Número da peça:
PSMN1R6-30MLHX
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
PSMN1R6-30MLH/SOT1210/MLFPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R6-30MLHX Atributos do produto

Número da peça : PSMN1R6-30MLHX
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : PSMN1R6-30MLH/SOT1210/MLFPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 160A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2.369nF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 106W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LFPAK33
Pacote / caso : SOT-1210, 8-LFPAK33

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