[2696pcs Estoque]
- Número da peça:
- NDT02N60ZT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NDT02N60ZT1G electronic components. NDT02N60ZT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDT02N60ZT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NDT02N60ZT1G Atributos do produto
Número da peça :
NDT02N60ZT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
300mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
170pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223 (TO-261)
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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