[1208pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFH5020TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH5020TR2PBF electronic components. IRFH5020TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5020TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH5020TR2PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH5020TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2290pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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