STMicroelectronics - STP25N10F7

KEY Part #: K6398477

STP25N10F7 Preços (USD) [45397pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.86129
  • 10 pcs$0.77892
  • 100 pcs$0.62606
  • 500 pcs$0.48693
  • 1,000 pcs$0.40346

Número da peça:
STP25N10F7
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 25A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP25N10F7 Atributos do produto

Número da peça : STP25N10F7
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 100V 25A TO-220
Series : DeepGATE™, STripFET™ VII
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 50W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220
Pacote / caso : TO-220-3

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