Infineon Technologies - IRF7490PBF

KEY Part #: K6412206

IRF7490PBF Preços (USD) [13525pcs Estoque]

  • 95 pcs$0.47285

Número da peça:
IRF7490PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7490PBF Atributos do produto

Número da peça : IRF7490PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
Series : HEXFET®
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1720pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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