Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF

KEY Part #: K6412490

TPCF8107,LF Preços (USD) [13427pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.44319
  • 10 pcs$0.38800
  • 100 pcs$0.28310

Número da peça:
TPCF8107,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPCF8107,LF Atributos do produto

Número da peça : TPCF8107,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Series : U-MOSVI
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (máx.) : +20V, -25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 970pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : VS-8 (2.9x1.5)
Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead

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