DMN80H2D0SCTI Preços (USD) [63360pcs Estoque]
- 1 pcs$0.61712
- 50 pcs$0.57949
- Número da peça:
- DMN80H2D0SCTI
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN80H2D0SCTI electronic components. DMN80H2D0SCTI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN80H2D0SCTI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN80H2D0SCTI Atributos do produto
Número da peça :
DMN80H2D0SCTI
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1253pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
41W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ITO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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